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电离能
I1
I2
I3
I4
…
Im/kJ•mol﹣1
578
1817
2745
11578
则该元素是(填写元素符号).N原子的价电子排布图为.
C、N、O三种元素第一电离能由大到小的顺序为;三种元素形成的简单氢化物分子中键角由大到小依次为(用分子式表示).
①[Ni(NH3)6]SO4中阴离子的立体构型是.
②在[Ni(NH3)6]2+中Ni2+与NH3之间形成的化学键称为,提供孤电子对的成键原子是.
③氨的沸点(填“高于”或“低于”)膦(PH3),原因是;
氨是分子(填“极性”或“非极性”),中心原子的轨道杂化类型为.
①晶胞中铜原子与镍原子的数量比为.
②若合金的密度为dg/cm3 , 晶胞参数a=nm.
①H3BNH3分子中是否存在配位键(填“是”或“否”),B、C、N、O的第一电离能由小到大的顺序为.
②与B3N3H6互为等电子体的分子是(填一个即可),B3N3H6为非极性分子,根据等电子原理写出B3N3H6的结构式.
①SeO3分子的立体构型为.
②金属铜投入氨水或H2O2溶液中均无明显现象,但投入氨水与H2O2的混合溶液中,则铜片溶解,溶液呈深蓝色,写出该反应的离子反应方程式为.
③某种铜合金的晶胞结构如图所示,该晶胞中距离最近的铜原子和氮原子间的距离为 apm,则该晶体的密度为(用含a的代数式表示,设NA为阿伏伽德罗常数的值).
①组成上述化合物各元素原子电负性由大到小的顺序为
②上述化合物中氮原子的杂化方式为
③在上图中用“→”标出亚铁离子的配位键.
①SiC是晶体,键角是.
②如果我们以一个硅原子为中心,设SiC晶体中硅原子与其最近的碳原子的最近距离为d,则与硅原子次近的第二层有个原子,离中心原子的距离是.
图B中原子堆积方式为,A、B中W原子的配位数之比为.A、B晶胞的棱长分别为a cm和b cm,则A、B两种晶体的密度之比为.
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