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部编版： 必修1
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  • 1． 短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X在元素周期表中原子半径最小，Y原子在周期表中处于族序数等于周期序数2倍的位置，Z最外层电子数是其核外电子数的3/4，W与Z属于同一主族．下列叙述正确的是（　　）
    A: X与Y只能形成一种化合物
    B: 原子半径：r（Z）＜r（Y）＜r（W）
    C: W的简单氢化物的热稳定性比Z的强
    D: Y的最高价氧化物对应的水化物是强酸
    难度： 中等 题型:模拟题 来源：
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  • 2． 短周期元素X、Y、Z的原子序数依次增大，Y原子的最外层电子数是次外层的3倍，XY2为红棕色气体，Z的焰色反应呈黄色．下列叙述正确的是（　　）
    A: 原子半径的大小顺序：r（X）＞r（Y）＞r（Z）
    B: 气态氢化物的热稳定性：X＞Y
    C: 元素X的最高价氧化物对应的水化物是强酸
    D: 化合物XY、Z2Y、Z2Y2中化学键的类型相同
    难度： 中等 题型:模拟题 来源：
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  • 3．    短周期主族元素M、N、X、Y、Z的原子序数依次增大．又知M与X同主族，N原子的最外层电子数是电子层数的3倍，M原子的原子半径小于N原子的原子半径，Z的原子半径在同周期元素中是最小的，Y原子的电子层数与最外层电子数相等．下列叙述正确的是（　　）
    A: 单质的还原性：Y＞X
    B: 元素M与N只能形成一种共价化合物
    C: 通常状况下，元素Z的单质不能与元素M的氧化物反应
    D: 元素X、Y、Z的最高价氧化物对应的水化物彼此间均可发生反应
    难度： 中等 题型:模拟题 来源：2015-2016学年江苏省扬州市宝应县高一下学期期中化学试卷
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  • 4． 氮族元素和卤族元素都能形成许多种物质．
    基态P原子中，电子占据的最高能级符号为　 ，基态N原子核外有　 种运动状态不同的电子，基态Br原子的价电子排布式为 

    HCN的结构式为　 　；其中心C原子的杂化类型为 杂化．氮、磷、氟三种元素的电负性由大到小的顺序为　 　（用元素符号表示）．

    已知PCl3是不稳定的无色液体，遇水反应可生成两种酸，该反应的化学方程式    为　 ，所得含氧酸（已知该含氧酸的各步电离平衡常数分别为Ka1=1.6×10﹣2和Ka2=7×10﹣7）和足量的NaOH溶液反应生成盐的化学式为 

    根据下表提供的第一电离能数据判断：最有可能生成较稳定的单核阳离子的卤素原子 （填元素名称）


    F

    Cl

    Br

    I

    第一电离能（（kJ•mol﹣1））

    1681

    1251

    1140

    1008
    难度： 中等 题型:模拟题 来源：
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  • 5． 已知W，X，Y，Z为短周期元素，原子序数依次增大．W，Z同主族，X，Y，Z同周期，其中只有X为金属元素．下列说法一定正确的是（  ）
    A: 原子半径：X＞Y＞Z＞W
    B: W的含氧酸的酸性比Z的含氧酸的酸性强
    C: W的气态氢化物的稳定性小于Y的气态氢化物的稳定性
    D: 若W与X原子序数差为5，则形成化合物的化学式为X3W2
    难度： 中等 题型:真题 来源：2016年高考化学真题试卷（上海卷）
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  • 6． [物质结构与性质]

    [Zn（CN）4]2﹣在水溶液中与HCHO发生如下反应：

    4HCHO+[Zn（CN）4]2﹣+4H++4H2O═[Zn（H2O）4]2++4HOCH2CN
    Zn2+基态核外电子排布式为   ．

    1molHCHO分子中含有σ键的数目为mol．

    HOCH2CN分子中碳原子轨道的杂化轨道类型是．

    与H2O分子互为等电子体的阴离子为．

    [Zn（CN）4]2﹣中Zn2+与CN﹣的C原子形成配位键，不考虑空间构型，[Zn（CN）4]2﹣的结构可用示意图表示为．
    难度： 中等 题型:真题 来源：2016年高考化学真题试卷（江苏卷）
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  • 7． 短周期主族元素X，Y，Z，W原子序数依次增大，X原子的最外层有6个电子，Y是迄今发现的非金属性最强的元素，在周期表中Z位于IA族，W与X属于同一主族．下列说法正确的是（  ）
    A: 元素X，W的简单阴离子具有相同的电子层结构
    B: 由Y，Z两种元素组成的化合物是离子化合物
    C: W的简单气态氢化物的热稳定性比Y的强
    D: 原子半径：r（X）＜r（Y）＜r（Z）＜r（W）
    难度： 简单 题型:真题 来源：2016年高考化学真题试卷（江苏卷）
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  • 8． a、b、c、d为短周期元素，a的原子中只有1个电子，b2﹣和c+的电子层结构相同，d与b同族．下列叙述错误的是（  ）
    A: a与其他三种元素形成的二元化合物中其化合价均为+1
    B: b与其他三种元素均可形成至少两种二元化合物
    C: c的原子半径是这些元素中最大的
    D: d与a形成的化合物的溶液呈弱酸性
    难度： 简单 题型:真题 来源：2016年高考理综真题试卷（化学部分）（新课标Ⅱ卷）
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  • 9． [化学--选修3：物质结构与性质]锗（Ge）是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛．回答下列问题：
    基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar]，有个未成对电子．

    Ge与C是同族元素，C原子之间可以形成双键、叁键，但Ge原子之间难以形成双键或叁键．从原子结构角度分析，原因是．

    比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因．


    GeCl4

    GeBr4

    GeI4

    熔点/℃

    ﹣49.5

    26

    146

    沸点/℃

    83.1

    186

    约400

    光催化还原CO2制备CH4反应中，带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂．Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是．

    Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为，微粒之间存在的作用力是．

    晶胞有两个基本要素：①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置，如图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为（0，0，0）；B为（  ，0， ）；C为（ ， ，0）．则D原子的坐标参数为．

    ②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状，已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76pm，其密度为  g•cm﹣3（列出计算式即可）．
    难度： 困难 题型:真题 来源：2016年高考理综真题试卷（化学部分）（新课标Ⅰ卷）
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  • 10． 【化学-选修3：物质结构与性质】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：
    写出基态As原子的核外电子排布式．

    根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs．（填“大于”或“小于”）

    AsCl3分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为．

    GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是．

    GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g•cm﹣3 ， 其晶胞结构如图所示．

    该晶体的类型为，Ga与As以键键合．Ga和As的摩尔质量分别为MGa g•mol﹣1和MAs g•mol﹣1 ， 原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA ， 则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为．
    难度： 困难 题型:真题 来源：2016年高考理综真题试卷（化学部分）（新课标Ⅲ卷）
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