GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体碳化硅类似,熔点如表所示,
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GaN
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GaP
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GaAs
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熔点/℃
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1700
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1480
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1238
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①GaN、GaP、GaAs的熔点变化原因是。
②砷化镓晶体中含有的化学键类型为(填选项字母)。
A.离子键 B.配位键 C.σ键 D.π键 E.极性键 F.非极性键
③以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置。称作原子分数坐标。如图为沿y轴投影的磷化镓晶胞中所有原子的分布图。若原子1的原子分数坐标为(0.25,0.25,0.75),则原子2的原子分数坐标为;若磷化镓的晶体密度为ρg·cm-3 , 阿伏加德罗常数的值为NA , 则晶胞中Ga和P原子的最近距离为pm(用代数式表示)。

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