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镓的卤化物
GaI3
GaBr3
GaCl3
熔点/℃
77.75
122.3
211.5
沸点/℃
201.2
279
346
GaF3的熔点超过1000 ℃,可能的原因是。
①1 mol H3BO3晶体中含有mol 氢键。
②请从氢键的角度解释硼酸在冷水中的溶解度小而加热时溶解度增大的原因:。
①该晶体中Na+的配位数为。
②H3BO3 分子中的 O—B—O 的键角(填“大于”、“等于”或“小于”) BH4-中的 H—B—H 的键角,判断依据是。
③已知硼氢化钠晶体的密度为 ρ g/cm3 , NA代表阿伏加德罗常数的值,则 a=(用含 ρ、 NA的代数式表示);④若硼氢化钠晶胞上下底心处的 Na+被 Li+取代,得到的晶体的化学式为。
①写出与SCN-互为等电子体的一种微粒(分子或离子);
②硫氰酸分子中π键和σ键的个数之比为;
③异硫氰酸的沸点比硫氰酸沸点高的原因是。
①M中,碳原子的杂化形式有种。
②M中,不含(填标号)。
a.π键 b.σ键 c.配位键 d.氢键 e.离子健
①4个微粒A,B,C,D中,属于氧原子的是
②若A、B、C的原子坐标分别为A(0,0,0)、(0.69a,0.69a,c)、C(a,a,c),则D的原子坐标为D(0.19a,,);钛氧键键长d=(用代数式表示)。
以S2Cl2为原料可制取(SN)x:S2Cl2→…S4N4 S2N2 (SN)x
①(SN)x中N 原子的杂化方式是 ; (SN)x的晶体类型是;
②S2Cl2的结构式为;
③Ag元素位于周期表第5周期、IB族,基态Ag原子的价电子排布式为。
①在K3C60晶胞中,C603-堆积方式为面心立方结构,每个晶胞中形成4 个八面体空隙和8个四面体空隙,K+填充在空隙中。晶胞中被K+占据的空隙百分比为。
②C60与金刚石互为同素异形休,比较两者的熔沸点并说明理由。
③C60的结构是一种多面体,如图。多面体的顶点数、面数和棱边数的关系遵循欧拉定律:顶点数+面数-棱边数=2。C60分子中所含的五边形和六边形的个数分别为、。
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