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GaN
GaP
GaAs
熔点
1700℃
1480℃
1238℃
①品胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为:
②GaN的密度为g·cm-3(用a、NA表示)。
钴的合金及其配合物用途非常广泛。已知Co3+比Fe3+的氧化性更强,在水溶液中不能大量存在。
①Cl 的空间构型为.
②CTCN的化学式为[CO(NH3)4CO3]NO3 , 与Co(Ⅲ)形成配位键的原子是(已知C 的结构式为 )。
③NaNT可以 (双聚氰胺)为原料制备。1mol双聚氰胺分子中含σ键的数目为.
铁、钴、镍及其化合物有许多用途。回答下列问题:
①BF32﹣中心原子杂化方式;CA3中心原子杂化方式;
②FD42﹣微粒中的键角; FD3分子的立体构型。
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