a．离子键    b.金属键    c.极性键    d.非极性键    e．配位键    f．氢键      g．σ键       h．π键

a．离子键  b.共价键  c.金属键   d.配位键e．氢键

[PtCl₄(NH₃)₂]中H-N-H键之间夹角(填“>”“<”或“=”)NH₃分子中H-N-H键之间夹角，原因是。

则K⁺占据的是C₆₀围成的正四面体空隙和空隙，若C₆₀分子的原子坐标参数分别为A(0，0，0)，B( )，C(1，1，1)等，则距离A位置C₆₀分子最近的K⁺的原子坐标参数为。判断晶体熔沸点高低：C₆₀K₃C₆₀(填“>”“<”或“=”)。

资料：镓的熔点较低（29.8℃），沸点很高（2403℃）。

①传统的氮化镓（GaN）制备方法是采用GaCl₃与NH₃在一定条件下反应，该反应的化学方程式是。

②当代工业上固态氮化镓（GaN）的制备方法是利用镓与NH₃在1000℃高温下合成，同时生成氢气，每生成lmol H₂时放出10.27 kJ热量。该可逆反应的热化学方程式是 。

③在密闭容器中，充入一定量的Ga与NH₃发生上述反应，实验测得反应平衡体系中NH₃的体积分数与压强P和温度T的关系曲线如图1所示。

图中A点和C点化学平衡常数的关系是：K_A K_C （填“＞”“＝”或“＜”），理由是。

①粗镓与电源极相连。（填“正”或“负”）

②镓在阳极溶解生成的Ga³⁺与NaOH溶液反应生成GaO₂^－ ， GaO₂^－在阴极放电的电极反应式是

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