基态As原子的核外电子排布式为[Ar];As 原子的逐级电离能(kJ/mol)数据如下:第一电离能 | 第二电离能 | 第三电离能 | 第四电离能 | 第五电离能 | 第六电离能 | 947.0 | 1798 | 2735 | 4837 | 6043 | 12310 |
第五电离能与第六电离能相差显著的原因:。 |
| 红磷是巨型共价分子,无定型结构。能证明红磷是非晶体的最可靠方法是__________。 |
| 黑磷是新型二维半导体材料,具有类似石墨一样的片层结构(如图),层与层之间以结合。从结构上看,单层磷烯导电性优于石墨烯的原因是。 
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| 白磷(P4) 分子是正四面体结构,3.1g 白磷中σ键的数目为;白磷(P4)易溶于二硫化碳,难溶于水,其原因是。 |
| GaAs 的熔点为1238℃,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为,Ga 原子的杂化方式为,每个 As原子周围最近的As原子数目为。已知GaAs的密度为dg/cm3 , 摩尔质量为M g/mol,则晶胞中最近的As 和Ga原子核间距为(阿伏加德罗常数值用NA表示,列出算式即可)nm。 
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