| 按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是 a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低 |
| 原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为,氧化性最弱的简单阳离子是。 |
已知: 化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 | 类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 | 熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是; 制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是。 |
| 晶体硅(熔点1410 ℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下: 
写出SiCl4的电子式:;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12 kg纯硅需吸收akJ热量,写出该反应的热化学方程式: |
| P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是 a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2 |
| KClO3可用于实验室制O2 , 若不加催化剂,400 ℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式: |
工业上,通过如下转化可制得KClO3晶体:  完成Ⅰ中反应的总化学方程式: 
|
| Ⅱ该反应过程能析出KClO3晶体而无其他晶体析出的原因是。 |