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GaN
GaP
GaAs
熔点
1700℃
1480℃
1238℃
①晶胞中镓原子采用六方最密堆积,每个镓原子周围距离最近的镓原子数目为。
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图乙。若该平行六面体的高为 ,GaN晶体的密度为 (用 表示)。
①原子序数分别为6和16的元素
②核内质子数分别为14和8的元素
③外围电子排布式分别是3s2和3s23p5的基态原子
④轨道表示式分别为如图所示的两种元素的基态原子
族
周期
IA
IIA
IIIA
IVA
VA
VIA
VIIA
一
①
二
②
③
④
三
⑤
⑥
⑦
⑧
⑨
⑩
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