①在该晶胞中，Cu⁺的配位数是。

②若该晶胞的边长为a pm，则Cu₂O的密度为g·cm^-3(只要求列算式，不必计算出数值，阿伏加德罗常数的值为N_A)。

②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状，已知LiZnAs单晶的晶胞参数a=594pm，N_A表示阿伏加德罗常数的值，则其密度为g·cm^-3(列出计算式即可)。

①储氢原理：镧镍合金吸附H₂ ， H₂解离为原子，H储存在其中形成化合物。若储氢后，氢原子占据晶胞中，上下底面的棱心和面心，则形成的储氢化合物的化学式为。

②测知镧镍合金晶胞体积为9.0×10^-23cm³ ， 则镧镍合金的晶体密度为(列出计算式即可)。

②已知磷化硼的晶胞参数a =478 pm，请列式计算该晶体的密度ρ=g·cm^-3(用含NA的代数式表示即可，不需要计算出结果)。晶胞中硼原子和磷原子最近的核间距d为pm。

写出钡钛矿晶体的化学式，其密度是g·cm^-3(设阿伏加德罗常数的值为N_A)。

在一个晶胞中，含有硼原子个，氮原子个。

图丙为一种无限长单链结构的多硅酸根离子，其中Si与O的原子数之比为，化学式为。

分别用O、●表示和K⁺ ， KH₂PO₄晶体的四方晶胞如图甲所示，图乙、图丙分别显示的是、K⁺在晶胞xz面、yz面上的位置：

①若晶胞底边的边长均为a pm、高为c pm，阿伏加德罗常数的值为N_A ， 晶体的密度为g·cm^-3(写出表达式)。

②晶胞在x轴方向的投影图为(填序号)。

理论计算预测，由汞(Hg)、锗(Ge) 、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图甲所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。

①图乙为Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一种单元结构，它不是晶胞单元，理由是 。

②图丙为X的晶胞，X的晶体中与Hg距离最近的Sb的数目为；该晶胞中粒子个数比Hg：Ge：Sb= 。

③设X的最简式的式量为M，则X晶体的密度为g·cm^-3(列出算式)。